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MMST3906 PDF预览

MMST3906

更新时间： 2024-02-22 08:17:34
品牌 Logo 应用领域
金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 367K
描述
TRANSISTOR(PNP)

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MMST3906 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MMST3906 数据手册

  
MMST3906  
TRANSISTOR(PNP)  
SOT–323  
FEATURES  
Complementary to MMST3904  
MARKING:K5N  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Unit  
V
1. BASE  
Collector-Base Voltage  
-40  
2. EMITTER  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
V
3. COLLECTOR  
-5  
V
Collector Current  
-200  
200  
mA  
mW  
℃/W  
℃
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance From Junction To Ambient  
Junction Temperature  
PC  
625  
RΘJA  
Tj  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
-55～+150  
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
IBL*  
*
IC=-10µA, IE=0  
-40  
V
Collector-base breakdown voltage  
*
*
IC=-1mA, IB=0  
IE=-10µA, IC=0  
-40  
-5  
V
V
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Base cut-off current  
VCE=-30V, VEB(Off)=-3V  
VCE=-30V, VEB(Off)=-3V  
VCE=-1V, IC=-100µA  
VCE=-1V, IC=-1mA  
-50  
-50  
nA  
nA  
ICEX  
*
Collector cut-off current  
60  
80  
hFE*  
DC current gain  
VCE=-1V, IC=-10mA  
100  
300  
-0.2  
IC=-10mA, IB=-1mA  
V
V
VCE(sat)  
*
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
IC=-50mA, IB=-5mA  
-0.3  
IC=-10mA, IB=-1mA  
-0.65  
250  
-0.85  
-0.95  
V
VBE(sat)  
*
IC=-50mA, IB=-5mA  
V
fT  
Cob  
Cib  
td  
VCE=-20V,IC=-10mA , f=100MHz  
VCB=-5V, IE=0, f=1MHz  
VEB=-0.5V, IE=0, f=1MHz  
VCC=-3V, VBE(off)=-0.5V, IC=-10mA,  
IB1=-1mA  
MHz  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Collector output capacitance  
Delay time  
4.5  
10  
35  
tr  
35  
Rise time  
ts  
225  
75  
Storage time  
VCC=3V, IC=-10mA, IB1= IB2=-1mA  
tf  
Fall time  
*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		SOT-323
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