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MMDL770T1

更新时间： 2024-01-04 03:20:15

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ETL		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
3页	106K
描述
Schottky Barrier Diode

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MMDL770T1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	0.7
配置：	SINGLE	最大二极管电容：	1 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	频带：	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	70 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

MMDL770T1 数据手册

Schottky Barrier Diode

Schottky barrier diodes are designed primarily for high–efficiency

UHF and VHF detector applications. Readily available to many other fast

switching RF and digital applications.

MMDL770T1

• Extremely Low Minority Carrier Lifetime

• Very Low Capacitance — 1.0 pF @ 20 V

• Low Reverse Leakage — 200 nA (max)

• High Reverse Voltage — 70 Volts (min)

• Available in 8 mm Tape and Reel

1.0 pF SCHOTTKY

BARRIER DIODE

• Device Marking: 5H

CATHODE

ANODE

PLASTIC SOD– 323

CASE 477

MAXIMUM RATINGS

Symbol

Rating

Reverse Voltage

Value

Unit

Vdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Characteristic

Total Device Dissipation FR–5 Board,*

Max

Unit

P _D

200

T _A= 25°C

Derate above 25°C

1.57

635

mW/°C

°C/W

R _θJA

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage

T _J, T _stg

–55 to+150

°C

Temperature Range

*FR–5 Minimum Pad

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping

3000 / Tape & Reel

MMDL770T1

SOD–323

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T _A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Reverse Breakdown Voltage

(I _R= 10 µA)

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

V _(BR)R

—

Volts

Diode Capacitance

(V _R= 20 Volts, f = 1.0 MHz)

Reverse Leakage

(V _R= 35 V)

C _T

I _R

—

0.5

9.0

1.0

200

nAdc

Forward Voltage

(I F = 1.0 mAdc)

—

0.7

1.0

Vdc

(I F = 10 mA)

S4–1/3

12 3

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