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MMDL914T3G PDF预览

MMDL914T3G

更新时间： 2024-01-15 15:55:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
High−Speed Switching Diode

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MMDL914T3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 477-02, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：0.62
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.5 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

MMDL914T3G 数据手册

 浏览型号MMDL914T3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDL914T3G的Datasheet PDF文件第3页 
MMDL914T1  
Preferred Device  
High−Speed Switching  
Diode  
Features  
• Pb−Free Package is Available  
http://onsemi.com  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
CATHODE  
ANODE  
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
100  
Unit  
Vdc  
V
R
Forward Current  
I
200  
mAdc  
mAdc  
F
2
Peak Forward Surge Current  
I
500  
FM(surge)  
1
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
SOD−323  
CASE 477  
STYLE 1  
Total Device Dissipation FR-5 Board  
T = 25°C (Note 1)  
A
P
200  
mW  
D
Derate above 25°C  
1.57  
635  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
MARKING DIAGRAM  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR-4 Minimum Pad.  
5D M G  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
5D  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
V
100  
−
Vdc  
(BR)  
(Note: Microdot may be in either location)  
(I = 100 mAdc)  
R
Reverse Voltage Leakage Current  
I
R
(V = 20 Vdc)  
(V = 75 Vdc)  
R
−
−
25  
5.0  
nAdc  
mAdc  
R
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Diode Capacitance  
(V = 0 V, f = 1.0 MHz)  
R
C
−
−
−
4.0  
1.0  
4.0  
pF  
Vdc  
ns  
T
MMDL914T1  
MMDL914T1G  
SOD−323  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Forward Voltage  
(I = 10 mAdc)  
F
V
F
SOD−323  
(Pb−Free)  
MMDL914T3G  
SOD−323 10,000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc) (Figure 1)  
F
R
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
January, 2007 − Rev. 4  
MMDL914T1/D  
 
123

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MMDL914T3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4148WSF-7 DIODES

功能相似

 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
MMDL914T1G ONSEMI

功能相似

 High−Speed Switching Diode
1N4148WS-7-F DIODES

功能相似

 SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

与MMDL914T3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDL914-TP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, SOD-323, 2 PIN
MMDP-65656GV-55/883 ATMEL

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 		Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, 0.400 INCH, FP-28
MMDP-65656L-40SHXXX TEMIC

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65656L-40SHXXX:D ATMEL

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65656L-45/883:D ATMEL

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65656L-45:D TEMIC

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 		Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65656L-45P883 ATMEL

获取价格

 		Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65656L-45P883:D ATMEL

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 		Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65656L-45SHXXX:D ATMEL

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 		Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CQFP28,
MMDP-65656L-55/883 TEMIC

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 		Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, CQFP28,

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