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MMBZ27VCLFHT116

更新时间: 2024-01-28 02:38:20
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 1008K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

MMBZ27VCLFHT116 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:12 weeks
风险等级:7.86其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:28.35 V最小击穿电压:25.65 V
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散:40 W元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.225 W
参考标准:AEC-Q101; IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压:22 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MMBZ27VCLFHT116 数据手册

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MMBZ27VCLFH  
Transient Voltage Suppressor  
(AEC-Q101 qualified)  
Outline  
Data sheet  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ ꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
V
22  
40  
38  
V
W
V
RWM  
P
PP  
V
CL  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
Small mold type  
High reliability  
Application  
Packaging Specification  
Packing  
ESD Protection  
Embossed Tape  
Reel Size(mm)  
180  
8
3000  
T116  
5T  
TapingWidth(mm)  
Basic OrderingUnit(pcs)  
TapingCode  
Structure  
Silicon Epitaxial Planar  
Marking  
Absolute Maximum Rating  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min. Max. Unit  
P
Peak Pulse Power  
tp=10/1000us  
-
-
-
-
40  
W
pp  
on Glass-epoxysubstrate  
onAlumina substrate  
225 mW  
300 mW  
150  
P
D
Power dissipation  
T
Junction temperature  
Storage temperature  
-
-
j
T
stg  
-65 150  
Contact  
Air  
-
-
-
-
-
30  
30  
2
8
500  
kV  
kV  
kV  
kV  
V
IEC61000-4-2*  
Machine model  
V
ESD  
ESD capability  
Human bodymodel (MIL-STD-883)  
CDM(Charged device model)  
*IEC61000-4-2  
C=150pF R=330Ω  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
©2017 ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
1/5  
2017/06/06_Rev.001  

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