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ML925B35F

更新时间： 2024-10-02 21:03:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电
页数 文件大小 规格书
2页 162K
描述
Laser Diode, 1550nm, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

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ML925B35F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE功能数量：1
光电设备类型：LASER DIODE标称输出功率：6 mW
峰值波长：1550 nm形状：ROUND
尺寸：1.6 mm最大阈值电流：30 mA
Base Number Matches：1

ML925B35F 数据手册

 浏览型号ML925B35F的Datasheet PDF文件第2页 
MITSUBISHI LASER DIODES  
ML9XX35 SERIES  
InGaAsP - MQW - FP LASER DIODES  
ML920J35S , ML920K35S  
ML925B35F , ML925C35F  
TYPE  
NAME  
FEATURES  
DESCRIPTION  
1550nm typical emission wavelength, FP-LDs  
Low threshold current, low operating current  
Wide temperature range operation  
ML9XX35 series are InGaAsP laser diodes which provides  
a stable, single transverse mode oscillation with emission  
wavelength of 1550nm and standard continuous light output  
of 5mW.  
(Tc=-20 to +85deg.C)  
Have a lens-cap ( ML925C35F, ML920K35S )  
ML9XX35 are hermetically sealed devices having the photo  
diode for optical output monitoring. This is suitable for such  
applications as FTTH(Fiber to the Home) systems.  
MQW* active layer  
* Multiple Quantum Well  
APPLICATION  
FTTH(Fiber to the Home) system  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Po  
Parameter  
Light output power  
Ratings[Note 1]  
Conditions  
Unit  
mW  
V
CW  
-
6[4]  
2
VRL  
Reverse voltage (laser diode)  
Reverse voltage (Photodiode)  
20  
2
V
mA  
VRD  
IFD  
-
-
Forward current (Photodiode)  
Case temperature  
deg.C  
-20 ~ +85  
Tc  
-
-
deg.C  
- 40 ~ +100  
Tstg  
Storage temperature  
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS(Tc=25deg.C) [Note 1]  
Typ.  
Symbol  
Parameter  
Thereshold current  
Operating current  
Test conditions  
Min.  
Max  
Unit  
mA  
mA  
CW  
-
-
30  
50  
10  
30  
Ith  
CW,Po=5mW[3mW]  
Iop  
Vop  
h
CW,Po=5mW[3mW]  
CW,Po=5mW[3mW]  
1.1  
Operating voltage  
Slope efficiency  
-
1.5  
-
V
mW/mA  
nm  
0.15[0.1]  
0.25[0.2]  
l p  
Peak wavelength  
CW,Po=5mW[3mW]  
CW,Po=5mW[3mW]  
1520  
-
1550  
1.5  
1580  
3
D l  
q
Spectral width (RMS)  
nm  
Beam divergence angle (parallel)  
CW,Po=5mW[3mW]  
-
-
25[11]  
deg.  
Beam divergence angle  
(perpendicular)  
q
CW,Po=5mW[3mW]  
-
-
30[11]  
0.3  
-
deg.  
ns  
tr,tf  
If=Ith,Po=5mW[3mW],10 - 90%  
0.7  
Rise and Fall time  
CW,Po=5mW[3mW], V RD =1V  
0.1  
0.5  
-
mA  
mA  
pF  
Im  
ID  
Ct  
Monitoring output current  
Dark current (Photodiode)  
Capacitance (Photodiode)  
-
-
0.01  
10  
0.1  
20  
VRD =10V  
VRD =10V, f=1MHz  
Note 1 : [ ] applied to the lens cap type  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
Nov . '01  
12

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