2N6274

更新时间： 2024-01-10 15:31:53

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描述
PNP POWER SILICON TRANSISTOR

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2N6274 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz

2N6274 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 514

Devices

Qualified Level

JAN

2N6274

2N6277

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6274 2N6277 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

100

150

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

120

180

6.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽²⁾

P_T

T_j_,T

250

143

⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 1.43 W/⁰C between T_C= +25⁰C and T_C= +200⁰C

TO-3*

(TO-204AA)

Symbol

Max.

0.7

Unit

⁰C/W

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

100

150

I_C= 50 mAdc

2N6274

2N6277

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 75 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 120 Vdc, V_BE= -1.5 Vdc

V_CE= 180 Vdc, V_BE= -1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0 Vdc

mAdc

2N6274

2N6277

I_CEO

2N6274

2N6277

I_CEX

I_EBO

I_CBO

100

mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 120 Vdc

V_CB= 180 Vdc

2N6274

2N6277

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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