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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N2905ADIE
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2N2905ADIE

更新时间： 2024-01-07 08:17:04
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 159K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, DIE

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2N2905ADIE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.08
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：180 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

2N2905ADIE 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/290  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N2904  
2N2905  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N2904A  
2N2904AL  
2N2905A  
2N2905AL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
2N2904 2N2904A, L  
2N2905 2N2905A, L  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
Unit  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
5.0  
600  
Vdc  
Collector Current  
mAdc  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C (1)  
@ TC = +25°C (2)  
0.8  
3.0  
PT  
W/°C  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
TJ, Tstg  
RθJC  
-65 to +200  
50  
°C  
TO-39 (TO-205AD)  
2N2904, 2N2904A  
2N2905, 2N2905A  
°C/W  
NOTES:  
1/ Derate linearly 3.43W/°C for TA > +25°C  
2/ Derate linearly 17.2W/°C for TC > +25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Collector-Emitter Breakdown Current  
IC = 10mAdc 2N2904, 2N2905  
2N2904A, 2N2905A / AL  
Collector-Emitter Cutoff Voltage  
Symbol  
V(BR)CEO  
ICES  
Min.  
Max.  
Unit  
40  
60  
Vdc  
TO-5  
VCE = 40Vdc  
VCE = 60Vdc  
2N2904, 2N2905  
2N2904A, 2N2905A / AL  
2N2904AL, 2N2905AL  
1.0  
µAdc  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 50Vdc  
2N2904, 2N2905  
20  
10  
ηAdc  
ηAdc  
µAdc  
2N2904A, 2N2905A / AL  
ICBO  
VCB = 60Vdc  
All Types  
10  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 3.5Vdc  
VEB = 5.0Vdc  
ηAdc  
µAdc  
IEBO  
50  
10  
T4-LDS-0186 Rev. 1 (101764)  
Page 1 of 4  
1234

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