Datasheet > MH8M325DNJ-5

MH8M325DNJ-5

更新时间： 2024-02-09 00:41:45

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	1025K
描述
EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MH8M325DNJ-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SSIM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.32 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH8M325DNJ-6	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
MH8M32CJ-5	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
MH8M32CJ-6	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
MH8M32CJ-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
MH8M32CNJ-5	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
MH8M32CNJ-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
MH8M36AJ-6	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
MH8M36AJ-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72
MH8M36ANUJ-65	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX36, 65ns, CMOS, SIMM-72
MH8M36ANUJ-75	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX36, 75ns, CMOS, SIMM-72