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MG600J1US51

更新时间: 2024-10-01 22:30:11
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率控制电动机控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 318K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

MG600J1US51 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
Is Samacsys:N其他特性:HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC):600 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-PUFM-X5
元件数量:1端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MG600J1US51 数据手册

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Fixed Resistor, 0.5W, 10100000ohm, 1500V, 0.5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel