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MF1011B900

更新时间: 2024-01-09 14:55:14
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管微波
页数 文件大小 规格书
12页 92K
描述
Microwave power transistor

MF1011B900 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84外壳连接:BASE
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):6 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MF1011B900 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
MF1011B900Y  
Microwave power transistor  
1997 Feb 18  
Product specification  
Supersedes data of December 1994  

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