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MD2114L3

更新时间： 2024-09-28 21:15:55

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	114K
描述
1KX4 STANDARD SRAM, 300ns, PDIP18, CERAMIC, DIP-18

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MD2114L3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	18
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
最长访问时间：	300 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T18
长度：	21.91 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端子数量：	18
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.33 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	NMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MD2115AL	INTEL	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 55ns, MOS, CDIP16
MD2115AL/B	INTEL	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 55ns, MOS, CDIP16
MD212D03E	MPD	获取价格	MD200xE SERIES
MD212D-03E	MPD	获取价格	Low Cost, 2W Miniature SIP DC/DC Con vert ers
MD212D05E	MPD	获取价格	MD200xE SERIES
MD212D-05E	MPD	获取价格	Low Cost, 2W Miniature SIP DC/DC Con vert ers
MD212D05EI	MPD	获取价格	MD200xEI SERIES
MD212D-05EI	MPD	获取价格	Low Cost, 2W High Isolation SIP DC/DC Converters
MD212D-05RU	MPD	获取价格	Wide 4:1 Input, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters
MD212D07E	MPD	获取价格	MD200xE SERIES