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MCM81430S60

更新时间： 2024-09-30 20:51:03

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	369K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30

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MCM81430S60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SIM30	针数：	30
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-XSMA-N30
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	30
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

MCM81430S60 数据手册

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by MCM81430/D

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

MCM81430

1M x 8 Bit Dynamic Random

Access Module

S PACKAGE

SIMM MODULE

CASE 839A-01

The MCM81430 is an 8M dynamic random access memory (DRAM) module or-

ganized as 1,048,576 x 8 bits. The module is a 30-lead single-in-line memory mod-

ule (SIMM) consisting of two MCM54400AN DRAMs housed in a 20/26 J-lead small

outline package (SOJ) and mounted on a substrate along with a 0.22 µF (min) de-

coupling capacitor mounted adjacent to each DRAM. The MCM54400AN is a

CMOS high-speed dynamic random access memory organized as 1,048,576 four-

bit words and fabricated with CMOS silicon-gate process technology.

L PACKAGE

SIP MODULE

CASE 852A-02

•

Three-State Data Output

Early-Write Common I/O Capability

Fast Page Mode Capability

TTL-Compatible Inputs and Outputs

RAS-Only Refresh

CAS Before RAS Refresh

TOP VIEW

Hidden Refresh

1024 Cycle Refresh: 16 ms (Max)

Consists of Two 4M DRAMs and Two 0.22 µF (Min) Decoupling Capacitors

Unlatched Data Out at Cycle End Allows Two Dimensional Chip Selection

Fast Access Time (t

RAC

): MCM81430-60 = 60 ns (Max)

MCM81430-70 = 70 ns (Max)

•

Low Active Power Dissipation: MCM81430-60 = 1.32 W (Max)

MCM81430-70 = 1.10 W (Max)

Low Standby Power Dissipation: TTL Levels = 22 mW (Max)

CMOS Levels = 11 mW (Max)

•

CAS Control for Eight Common I/O Lines

Available in Edge Connector (MCM81430S) or Pin Connector (MCM81430L)

PIN NAMES

A0 – A9 . . . . . . . . . . . . . . Address Inputs

DQ0 – DQ7 . . . . . . . . Data Input/Output

CAS . . . . . . . . . Column Address Strobe

RAS . . . . . . . . . . . . Row Address Strobe

W . . . . . . . . . . . . . . . . . Read/Write Input

. . . . . . . . . . . . . . . . . . Power (+ 5 V)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ground

NC . . . . . . . . . . . . . . . . . . No Connection

REV 2

3/94

Motorola, Inc. 1994

MOTOROLA DRAM

MCM81430

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

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与MCM81430S60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM81430S70	MOTOROLA	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30
MCM81600-60	MOTOROLA	获取价格	Memory IC
MCM81600S60	MOTOROLA	获取价格	16MX8 FAST PAGE DRAM MODULE, 60ns, SMA30, SIMM-30
MCM81600S70	MOTOROLA	获取价格	16MX8 FAST PAGE DRAM MODULE, 70ns, SMA30, SIMM-30
MCM81600SG60	MOTOROLA	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30
MCM81600SG70	MOTOROLA	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30
MCM8256Z15	MOTOROLA	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15ns, ZMA60
MCM8256Z20	MOTOROLA	获取价格	256KX8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20ns, ZMA60
MCM8256Z25	MOTOROLA	获取价格	SRAM Module, 256KX8, 25ns, CMOS, PZIP60
MCM84000AL10	MOTOROLA	获取价格	4MX8 FAST PAGE DRAM MODULE, 100ns, SMA30, SIMM-30

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