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MC3303DR2

更新时间: 2024-02-15 20:12:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
Single Supply Quad Operational Amplifiers

MC3303DR2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:LEAD FREE, SOIC-14针数:14
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:0.69
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):1 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.5 µA
标称共模抑制比:90 dB频率补偿:YES
最大输入失调电压:10000 µVJESD-30 代码:R-PDSO-G14
JESD-609代码:e3长度:8.65 mm
低-失调:NO湿度敏感等级:1
负供电电压上限:标称负供电电压 (Vsup):
功能数量:4端子数量:14
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP14,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE包装方法:TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:+-1.5/+-18/3/36 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
标称压摆率:0.6 V/us子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:7 mA供电电压上限:36 V
标称供电电压 (Vsup):14 V表面贴装:YES
技术:BIPOLAR温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40标称均一增益带宽:1000 kHz
最小电压增益:10000宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

MC3303DR2 数据手册

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MC3403, MC3303  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V = 5.0 V, V = GND, T = 25°C, unless otherwise noted.)  
CC  
EE  
A
MC3403  
Typ  
MC3303  
Min  
Max  
10  
Min  
Typ  
Max  
10  
Characteristic  
Input Offset Voltage  
Symbol  
Unit  
mV  
V
2.0  
IO  
Input Offset Current  
I
30  
50  
75  
nA  
IO  
Input Bias Current  
I
200  
200  
500  
500  
nA  
IB  
Large Signal Open Loop Voltage Gain  
A
VOL  
10  
10  
200  
V/mV  
R = 2.0 kꢀ  
L
Power Supply Rejection Ratio  
Output Voltage Range (Note 5)  
PSRR  
150  
150  
V/V  
V
V
pp  
OR  
R = 10 k, V = 5.0 V  
3.3  
3.5  
3.3  
3.5  
L
CC  
R = 10 k, 5.0 V 30 V  
V
2.0  
CC  
V
1.7  
CC  
V
2.0  
CC  
V
1.7  
CC  
L
CC  
Power Supply Current  
I
2.5  
120  
7.0  
2.5  
120  
7.0  
mA  
dB  
CC  
Channel Separation  
f = 1.0 kHz to 20 kHz  
(Input Referenced)  
CS  
5. Output will swing to ground with a 10 kpull down resistor.  
Bias Circuitry  
Common to Four  
Amplifiers  
Output  
V
CC  
Q19  
Q18  
Q27  
Q20  
Q17  
Q16  
Q23  
40 k  
Q29  
Q28  
5.0 pF  
31k  
Q1  
Q15  
+
Q22  
Q24  
2.0 k  
Q9  
Q13  
Q11  
25  
Inputs  
37 k  
Q25  
Q21  
Q12  
Q6  
Q30  
2.4 k  
Q2  
Q5  
Q10  
Q7  
Q3  
Q4  
Q8  
60 k  
V
(GND)  
EE  
Figure 1. Representative Schematic Diagram  
(1/4 of Circuit Shown)  
http://onsemi.com  
4
 

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