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MBRF745 PDF预览

MBRF745

更新时间： 2024-02-23 21:08:26
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 222K
描述
Isolated 7.5AMP. Schottky Barrier Rectifiers

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MBRF745 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.68其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：7.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：100 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

MBRF745 数据手册

 浏览型号MBRF745的Datasheet PDF文件第2页 
MBRF735-MBRF7150  
Isolated 7.5AMP. Schottky Barrier Rectifiers  
ITO-220AC  
.185(4.7)  
.173(4.4)  
.406(10.3)  
.390(9.90)  
.124(3.16)  
.118(3.00)  
.134(3.4)DIA  
.113(3.0)DIA  
.112(2.85)  
.100(2.55)  
.272(6.9)  
.248(6.3)  
Features  
.606(15.5)  
.583(14.8)  
ꢀ
Plastic material used carries Underwriters  
Laboratory Classifications 94V-0  
.063(1.6)  
MAX  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Metal silicon rectifier, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
.161(4.1)  
.146(3.7)  
High current capability, low forward voltage drop  
High surge capability  
.110(2.8)  
.098(2.5)  
.543(13.8)  
.512(13.2)  
.055(1.4)  
.043(1.1)  
.071(1.8)  
MAX  
.030(0.76)  
.020(0.50)  
.035(0.9)  
.020(0.5)  
For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
Guardring for overvoltage protection  
High temperature soldering guaranteed:  
2
.100(2.55)  
PIN 1  
.100(2.55)  
ꢀ
ꢀ
o
PIN 2  
CASE  
260 C/10 seconds,0.25”(6.35mm)from case  
Case Positive  
Mechanical Data  
Dimensions in inches and (millimeters)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Cases: ITO-220AC molded plastic body  
Polarity: As marked  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in. - lbs. max  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
o
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF  
Symbol  
Type Number  
Units  
735  
35  
745  
45  
750  
50  
760  
60  
790 7100 7150  
VRRM  
VRMS  
VDC  
90  
63  
90  
100  
70  
150  
105  
150  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
24  
31  
35  
42  
35  
45  
50  
60  
100  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
See Fig. 1  
I(AV)  
IFRM  
7.5  
15.0  
150  
A
A
Peak Repetitive Forward Current (Square Wave, 20KHz) at  
o
Tc=105 C  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave  
Superimposed on Rated Load (JEDEC method )  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (Note 1)  
IFSM  
IRRM  
A
A
1.0  
0.5  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at (Note 2)  
o
I =7.5A,Tc=25 C  
F
0.75  
0.65  
－
－
0.92  
0.82  
-
1.02  
0.92  
-
o
I =7.5A,Tc=125 C  
F
V
VF  
0.57  
0.84  
0.72  
o
I =15A,Tc=25 C  
F
o
I =15A,Tc=125 C  
F
－
-
-
o
Maximum Instantaneous Reverse Current @ Tc =25  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 1) @ Tc=125  
C
0.1  
15  
0.1  
10  
0.1  
5.0  
mA  
mA  
o
IR  
C
Voltage Rate of Change (Rated V )  
R
dV/dt  
10,000  
280  
V/uS  
Typical Junction Capacitance  
Cj  
350  
200  
pF  
o
Maximum Thermal Resistance, (Note 3)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
R
7.0  
C/W  
θJC  
o
T
-65 to +150  
-65 to +175  
C
J
o
T
STG  
C
Notes:  
1. 2.0us Pulse Width, f=1.0 KHz  
2. Pulse Test: 300us Pulse Width, 1% Duty Cycle  
3. Mounted on Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25in Al-plate.  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBRF745/45-E3 VISHAY

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 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN, Rectifie
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 		DIODE 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN, Rectifie
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