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MBRD8100-T3 PDF预览

MBRD8100-T3

更新时间： 2024-01-21 12:42:30
品牌 Logo 应用领域
WTE 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-252, DPAK-3/2

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MBRD8100-T3 技术参数

生命周期：Active包装说明：DPAK-3/2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.2
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：85 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRD8100-T3 数据手册

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®
MBRD820/S – MBRD8100/S  
8.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
A
B
C
J
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
D
High Surge Current Capability  
Low Power Loss, High Efficiency  
Ideally Suited for Automatic Assembly  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
E
PIN 1  
2
3
K
G
H
L
P
P
DPAK/TO-252  
Min  
Mechanical Data  
Dim  
A
B
C
D
E
Max  
6.65  
5.55  
2.40  
1.25  
6.08  
3.00  
0.90  
0.55  
1.25  
0.55  
6.05  
Case: DPAK/TO-252, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
5.05  
PIN 1  
PIN 3  
2.25  
Case, PIN 2  
(MBRD820 Series)  
1.05  
Polarity: See Diagram  
Weight: 0.3 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Device Code, See Page 3  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
5.48  
G
H
J
2.55  
0.55  
PIN 3  
Case, PIN 2  
(MBRD820S Series)  
0.49  
K
L
0.95  
0.49  
P
2.30 Typical  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD MBRD  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
820/S 830/S 840/S 845/S 850/S 860/S 880/S 8100/S  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
20  
14  
30  
21  
40  
28  
45  
32  
50  
35  
60  
42  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 125°C  
8.0  
85  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@IF = 8.0A  
VFM  
IRM  
CJ  
0.55  
450  
0.75  
0.85  
V
mA  
pF  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.2  
20  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
350  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 2)  
RθJA  
RθJC  
80  
3.0  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.  
2. Mounted on FR-4 PC board with minimum recommended pad layout.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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