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MBRD20200CT

更新时间: 2024-05-23 22:22:44
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蓝箭 - FOSHAN /
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6页 700K
描述
TO-252

MBRD20200CT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DPAK-3/2Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.72其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:120 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:1000 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

MBRD20200CT 数据手册

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MBRD20200CT  
Rev. A Jun.-2022  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-252 塑封封装 肖特基二极管。  
Schottky Barrier Diode in a TO-252 Plastic Package.  
特征 / Features  
损耗低,效率高,无卤产品。  
Low power loss, high efficiency, HF Product.  
用途 / Applications  
用于高频、低压、大电流整流二极管,续流二极管,保护二极管。  
For use in low voltage,high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
4
2
1
3
PIN1Anode  
PIN 2,4Cathode  
PIN 3Anode  
印章代码 / Marking  
见印章说明。See Marking Instructions  
http://www.fsbrec.com  
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