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MBRB2035CT

更新时间： 2024-01-03 16:11:34
品牌 Logo 应用领域
SSC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 570K
描述
20A Dual Schottky Rectifiers

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MBRB2035CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10

MBRB2035CT 数据手册

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MBR/B20xxCT Series  
20A Dual Schottky Rectifiers  
PRODUCT SUMMARY  
Voltage ratings available from 35 to 60 Volts  
FEATURES  
Plastic packages have Underwriters Laboratory Flammability  
Classification 94V-0  
Dual rectifier construction, positive center tap  
Metal-silicon junction, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
Guardring for overvoltage protection  
For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling,  
and polarity protection applications  
MECHANICAL DATA  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C for 10 seconds, 0.25" (6.35mm) from case  
Case: JEDEC TO-220AB (MBR...) or ITO-220AB (MBRB...) molded plastic body - for dimensions, see page 3  
Terminals: Matte-Sn plated leads, solderable per MIL-STD-750, method 2026  
Polarity: As marked  
Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams  
Pb-free; RoHS-compliant  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR2035CT MBR2045CT MBR2050CT MBR2060CT  
MBRB2035CT MBRB2045CT MBRB2050CT MBRB2060CT  
Parameter  
Symbol  
Units  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
35  
35  
35  
45  
45  
45  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward  
rectified current at TC=135°C  
Total device  
Per leg  
20  
10  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
Amps  
Amps  
Amps  
Peak repetitive forward current per leg at (rated VR, sq.  
20  
wave, 20kHz) at TC=135oC  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method) per leg  
150  
Peak repetitive reverse surge current per leg at tp =  
IRRM  
1.0  
0.5  
Amps  
2.0 su,  
1KHz  
Voltage rate of change (rated VR)  
dv/dt  
10,000  
V/ us  
Maximum instantaneous forward voltage per leg (Note 1)  
at IF=10A, TC=25oC  
-
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
at IF=10A, TC=125oC  
VF  
0.57  
0.84  
0.72  
Volt  
at IF= 20A, TC=25oC  
at IF= 02A, TC=125oC  
Maximum reverse current at  
rated DC blocking voltage  
per leg (Note 1)  
TC=25oC  
0.1  
15  
0.15  
150  
mA  
IR  
TC=125oC  
Thermal resistance from junction to case per leg  
Rθ  
2.0  
°C/W  
JC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
oC  
oC  
TSTG  
Notes:  
1. Pulse test: 300us pulse width, 1% duty cycle  
12/03/2006 Rev.4.01  
www.SiliconStandard.com  
1 of 3  
123

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