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MBR4050BT PDF预览

MBR4050BT

更新时间： 2024-02-13 11:32:05
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
3页 38K
描述
40 Ampere Schottky Barrier Rectifiers

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MBR4050BT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-247S, TO-3PS, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.16Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：350 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：40 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR4050BT 数据手册

 浏览型号MBR4050BT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR4050BT的Datasheet PDF文件第3页 
MBR4035PT - MBR4060PT  
0.203(5.16)  
0.193(4.90)  
Features  
0.645(16.4)  
0.625(15.9)  
0.245(6.2)  
0.078(1.98)  
10°  
• Low power loss, high efficiency.  
• High surge capacity.  
0.323(8.2)  
0.313(7.9)  
0.225(5.7)  
30°  
• For use in low voltage, high frequency  
inverters, free wheeling, and polarity  
protection applications.  
.17(4.3)  
10° TYP  
TO-3P/  
TO-247AD  
0.84(21.3)  
0.82(20.8)  
BOTH SIDES  
0.134(3.4)  
0.114(2.9)  
• Metal silicon junction, majority carrier  
conduction.  
0.118(3.0)  
0.108(2.7)  
2
3
1
0.086(2.18)  
0.076(1.93)  
• High current capacity, low forward  
voltage drop.  
0.16(4.1)  
0.14(3.5)  
0.795(20.2)  
0.775(19.7)  
PIN 1  
PIN 3  
0.127(3.22)  
+
0.117(2.97)  
CASE  
PIN 2  
• Guard ring for over voltage protection.  
0.048(1.22)  
0.044(1.12)  
0.030(0.76)  
0.020(0.51)  
40 Ampere Schottky Barrier Rectifiers  
0.225(5.7)  
0.205(5.2)  
Dimensions are in: inches (mm)  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
40  
A
.375” lead length @ T = 125 C  
°
A
Peak Repetitive Forward Current  
if(repetitive)  
if(surge)  
40  
A
A
(Rated V , Square Wave, 20 KHz) @ T = 120 C  
°
R
A
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
400  
PD  
3.0  
25  
W
mW/ C  
°
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Lead  
1.2  
Rθ  
C/W  
°
JL  
Storage Temperature Range  
-65 to +175  
-65 to +150  
C
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
4035PT  
35  
4045PT  
45  
4050PT  
50  
4060PT  
60  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
24  
31  
35  
42  
35  
45  
50  
60  
V
DC Reverse Voltage  
(Rated VR)  
10,000  
V/uS  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
Maximum Reverse Current  
1.0  
100  
mA  
mA  
@ rated VR  
TA = 25°C  
TA = 125°C  
Maximum Forward Voltage  
F = 20 A, TC = 25°C  
0.70  
0.60  
0.80  
0.75  
0.72  
0.62  
-
-
V
V
V
V
I
IF = 20 A, TC = 125°C  
IF = 40 A, TC = 25°C  
IF = 40 A, TC = 125°C  
Peak Repetitive Reverse Surge  
Current  
2.0  
1.0  
A
2.0 us Pulse Width, f = 1.0 KHz  
MBR4035PT - MBR4060PT, Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR4050CT MDD

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 		40 to 200 Volts Forward Current - 40.0 Amperes
MBR4050CT GXELECTRONICS

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