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MBR4050PT PDF预览

MBR4050PT

更新时间： 2024-01-16 06:54:51
品牌 Logo 应用领域
台湾光宝 - LITEON 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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MBR4050PT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-247包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-247S, TO-3PS, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.16Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：350 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：40 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR4050PT 数据手册

 浏览型号MBR4050PT的Datasheet PDF文件第2页 
LITE-ON  
SEMICONDUCTOR  
MBR4030PT thru 4060PT  
- 30 60  
to  
REVERSE VOLTAGE  
FORWARD CURRENT  
Volts  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
- 40  
Amperes  
TO-3P  
FEATURES  
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton  
Guard ring for transient protection  
Low power loss, high efficiency  
F
E
TO-3P  
MIN.  
15.75  
21.25  
19.60  
3.78  
A
DIM.  
A
B
C
D
MAX.  
16.25  
21.75  
20.10  
4.38  
P
G
High current capability, low VF  
Q
O
B
High surge capacity  
Plastic package has UL flammability classification 94V-0  
PIN  
2
K
E
1.88  
4.87  
2.08  
5.13  
For use in low voltage,high frequency inverters,free  
whelling,and polarity protection applications  
3
1
F
G
H
4.4TYP.  
D
1.90  
2.93  
1.12  
2.90  
5.20  
2.10  
2.16  
3.22  
1.22  
3.20  
5.70  
2.40  
0.76  
2.18  
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
C
MECHANICAL DATA  
Case : TO-3P molded plastic  
Polarity : As marked on the body  
Weight : 0.2 ounces, 5.6 grams  
Mounting position : Any  
I
N
J
0.51  
1.93  
M
L
L
20 TYP  
10 TYP  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
All Dimensions in millimeter  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
℃
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBR  
4030PT 4035PT  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
MBR  
4060PT  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNIT  
4040PT 4045PT 4050PT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
RRM  
RMS  
V
V
V
V
30  
21  
30  
35  
24.5  
35  
40  
28  
40  
45  
31.5  
45  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
Maximum RMS Voltage  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward  
Rectified Current (See Fig.1)  
V
DC  
(AV)  
FSM  
I
A
40  
C=  
@T 125 C  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine-wave  
A
I
400  
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)  
10000  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
dv/dt  
V/us  
V
I
I
I
I
F
F
F
F
=20A @  
=20A @  
=40A @  
=40A @  
0.70  
0.60  
0.80  
0.75  
0.80  
0.70  
-
-
T
T
J
=25 C  
=125 C  
=25 C  
Maximum Forward  
Voltage (Note 1)  
J
V
F
T
J
T
J
=125 C  
1.0  
100  
1.4  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@T  
J
J
=25 C  
@T =125 C  
I
R
mA  
C/W  
pF  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance  
per element (Note 3)  
R0JC  
700  
C
J
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
T
J
-55 to +150  
-55 to +175  
C
C
STG  
REV. 2, 01-Dec-2000, KTH11  
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.  
2. Thermal Resistance Junction to Case.  
3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
12

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