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MB8431-12P

更新时间: 2024-09-26 19:47:47
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 349K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP52

MB8431-12P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP52,.6
针数:52Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:120 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T52
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
端口数量:2端子数量:52
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP52,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MB8431-12P 数据手册

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