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MB8416A-15LM

更新时间: 2024-09-28 04:40:39
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, PDIP24, DIP-24

MB8416A-15LM 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.88
最长访问时间:150 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
长度:30.07 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.96 mm
最大待机电流:0.00003 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

MB8416A-15LM 数据手册

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