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MB6S/30-E3

更新时间： 2024-02-16 14:17:46

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
DIODE 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA, PLASTIC, MBS, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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MB6S/30-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-269AA
包装说明：	R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.57
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-269AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	35 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

MB6S/30-E3 数据手册

MB2S thru MB6S

Miniature Glass Passivated Single-Phase

Surface Mount Bridge Rectifier

Ratings and

Characteristic Curves (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak

Forward Surge Current Per Leg

Fig. 1 - Derating Curve for Output

Rectified Current

0.8

Aluminum Substrate

0.7

= 40°C

5.0

Single Half Sine-Wave

(JEDEC Method)

0.6

0.5

f = 60 Hz

f = 50 Hz

Glass

0.4

Epoxy

P. C. B.

0.3

0.2

0.1

1 Cycle

Resistive or Inductive Load

Ambient Temperature (°C)

80 100 120 140 160

Number of Cycles

100

Fig. 3 - Typical Forward Voltage

Characteristics Per Leg

Fig. 4 - Typical Reverse Leakage

Characteristics Per Leg

100

T = 125°C

T = 150°C

T = 25°C

0.1

0.01

0.1

0.01

Pulse Width = 300µs

1% Duty Cycle

T = 25°C

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

Instantaneous Forward Voltage (V)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Fig. 5 - Typical Junction Capactitance

Per Leg

T = 25°C

f = 1 MHz

Vsig = 50mVp-p

5.0

200

0.1

Reverse Voltage (V)

100

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MB6S_NL	FAIRCHILD	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 600V V(RRM), Silicon, SOIC-4
MB6SA	GOOD-ARK	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
MB6SA	YANGJIE	获取价格	MBS
MB6S-B	MCC	获取价格	暂无描述
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