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MB6ST

更新时间： 2024-09-23 19:38:43
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 942K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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MB6ST 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55最小击穿电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-269AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MB6ST 数据手册

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MB2ST thru MB10ST  
Glass Passivated Bridge Rectifiers  
Reverse Voltage 200 to 1000V Forward Current 0.5A  
Features  
■
Glass passivated bridge rectifiers  
■ Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
■ Low forward voltage drop  
■
Package:  
High temperature soldering guaranteed:260°C/10 seconds  
TO-269AA (MBS)  
Mechanical Data  
■
Case:Molded plastic body over passivated junctions  
■ Terminals: plated leads solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
■ Mounting position: any  
■
Schematic Diagram  
Weight: 0.078oz., 0.22g  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
(TA=25°C unless otherwise noted）  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VRMS  
MB2ST  
200  
MB4ST  
400  
MB6ST  
600  
MB8ST  
800  
MB10ST  
1000  
Unit  
V
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
140  
280  
420  
560  
700  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Output Current  
VDC  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
0.5(1)  
0.8(2)  
IF(AV)  
A
(see Fig.1)  
on glass-epoxy P.C.B  
on aluminum substrate  
Peak Forward Surge Current (8.3 ms single half sine-  
wave superimposed on rated load, JEDEC method)  
IFSM  
30  
A
Rating for Fusig (t<8.3ms)  
I2t  
3.0  
A2sec  
V
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
Drop per Leg at 0.4A  
VF  
1.00  
Maximum DC Reverse Current at Rated  
DC Blocking Voltage per Leg  
TA=25°C  
IR  
µA  
TA=125°C  
100  
85(1)  
70(2)  
20(1)  
13  
RθJA  
RθJA  
RθJL  
CJ  
°C/W  
Typical Thermal Resistance per Leg  
pF  
Typical Junction Capacitance at 4.0V,1.0MHz  
°C  
-55 to +150  
TJ,TSTG  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Notes: 1. On glass epoxy P.C.B. mounted on 0.05×0.05"(1.3×1.3mm) pads  
2.  
On aluminum substrate P.C.B.with an area of 0.8×0.8"(20×20mm) mounted on 0.05×0.05"(1.3×1.3mm) solder pad  
1/3  
123

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与MB6ST相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB6S-T3 SENSITRON

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, MB-S, 4 PIN
MB6S-TP MCC

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 		0.5Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
MB6S-TP-HF MCC

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 		Bridge Rectifier Diode, 0.8A, 600V V(RRM),
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