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MAX2682EUT

更新时间： 2024-01-23 04:17:09

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7页	57K
描述
PLASTIC ENCAPSULATED DEVICES

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MAX2682EUT 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
下变频增益-最小值：	8.7 dB	最大中频频率：	500 MHz
最小中频频率：	10 MHz	JESD-609代码：	e0
LO 可调谐：	YES	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大射频输入频率：	2500 MHz
最小射频输入频率：	400 MHz	射频/微波设备类型：	DOWN CONVERTER
端子面层：	TIN LEAD	最大电压驻波比：	1.5
Base Number Matches：	1

MAX2682EUT 数据手册

II. Manufacturing Information

A. Description/Function:

B. Process:

400MHz to 2.5GHz, Low-Noise, SiGe Downconverter Mixers

GST33

C. Number of Device Transistors:

D. Fabrication Location:

E. Assembly Location:

F. Date of Initial Production:

Oregon, USA

Malaysia or Thailand

October, 1998

III. Packaging Information

A. Package Type:

B. Lead Frame:

6-Pin SOT

Copper

C. Lead Finish:

Solder Plate

D. Die Attach:

Silver-filled Epoxy

Gold (1.0 mil dia.)

Epoxy with silica filler

Buildsheet # 05-7001-0322

Class UL94-V0

E. Bondwire:

F. Mold Material:

G. Assembly Diagram:

H. Flammability Rating:

I. Classification of Moisture Sensitivity per

JEDEC standard JESD22-A112:

Level 1

IV. Die Information

A. Dimensions:

36 x 33 mils

B. Passivation:

Si₃N₄/SiO₂(Silicon nitride/ Silicon dioxide)

C. Interconnect:

Poly / Au

D. Backside Metallization:

E. Minimum Metal Width:

F. Minimum Metal Spacing:

G. Bondpad Dimensions:

H. Isolation Dielectric:

I. Die Separation Method:

None

Metal1: 1.2; Metal2: 1.2; Metal3: 2.8; Metal4: 5.6 microns (as drawn)

Metal1: 1.3; Metal2: 1.4; Metal3: 2.6; Metal4: 2.6 microns (as drawn)

5 mil. Sq.

SiO₂

Wafer Saw

1 234 5 6 7

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