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MAR9564C90CL

更新时间: 2024-10-02 18:39:59
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DYNEX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 341K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CERAMIC, DIP

MAR9564C90CL 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MAR9564C90CL 数据手册

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