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MAR9187C45FB

更新时间: 2024-09-26 14:43:23
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DYNEX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 317K
描述
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, CDFP24

MAR9187C45FB 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL24,.4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:45 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-CDFP-F24JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX1
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装等效代码:FL24,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL总剂量:100k Rad(Si) V
Base Number Matches:1

MAR9187C45FB 数据手册

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