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MA5J002D

更新时间： 2024-09-29 19:46:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	74K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.1A, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI5-F1, 5 PIN

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MA5J002D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F5
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.82	配置：	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	4
端子数量：	5	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MA5J002D 数据手册

Switching Diodes

MA5J002D

Silicon epitaxial planar type

Unit: mm

2.0 0.1

(0.65) (0.65)

For high speed switching circuits

0.7 0.1

■ Features

•

Includes 4 elements of anode common connection

Parts reduction is possible

Ideal for surge voltage absorption

0.2 0.05

+0.1

0.16

–0.06

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage

Symbol

V_R

Rating

Unit

Maximum peak reverse voltage

V_RM

I_F

1: Cathode 1

2: Anode 1, 2, 3, 4

3: Cathode 2

4: Cathode 3

Forward current ^*

100

225

500

Peak forward current ^*

I_FM

5: Cathode 4

SMini5-F 1 Package

Non-repetitive peak forward

I_FSM

1, 2

surge current ^*

Marking Symbol: M5C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Internal Connection

Note) 1: Value in single diode used.

2: t = 1 s

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

I_F= 100 mA

Min

Typ

Max

Unit

V_F

V_R

I_R

1.3

Reverse voltage

I_R= 100 µA

V_R= 70 V

Reverse current

100

3.5

5.0

Terminal capacitance

Reverse recovery time ^*

C_t

t_rr

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_F= 10 mA, V_R= 6 V

I_rr= 0.1 I_R, R_L= 100 Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring method for diodes.

2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.

3. : t_rrmeasurement circuit

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

10%

I_F

90%

V_R

I_rr= 0.1 I_R

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

V_R= 6 V

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

Wave Form Analyzer

(SAS-8130)

R_s= 50 Ω

R_i= 50 Ω

Publication date: November 2003

SKF00060BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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