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M965G0225MP0-C50

更新时间： 2024-01-29 23:44:01

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	362K
描述
Synchronous Graphics RAM Module, 2MX64, 4.5ns, CMOS, SODIMM-144

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M965G0225MP0-C50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	4.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.8 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

M965G0225MP0-C50 数据手册

SGRAM MODULE

M965G0225MP(Q)0 / M966G0225MP(Q)0

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Voltages referenced to VSS)

Parameter

Voltage on any pin relative to Vss

Voltage on VDD supply relative to Vss

Storage temperature

Symbol

VIN, VOUT

VDD

Value

-1.0 ~ 4.6

-55 ~ +150

Unit

TSTG

°C

Power dissipation

Short circuit current

IOS

Note :

Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.

DC OPERATING CONDITIONS

Recommended operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V)

Parameter

Supply voltage

Symbol

VDD

VIH

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

Typ

Max

3.6

Unit

Note

3.3

Note 4

Input high voltage

3.0

VDD+0.3

0.8

Input low voltage

VIL

Note 1

IOH = -2mA

IOL = 2mA

Note 2

Output high voltage

Output low voltage

Input leakage current

Output leakage current

Output loading conditon

VOH

VOL

ILI

0.4

-40

-20

ILO

Note 3

See Figure 1

Note :

1. VIL(min.) = -1.5V AC (pulse width £ 5ns)

2. Any input 0V £ VIN £ VDD + 0.3V, all other pins are not under test = 0V.

3. Dout is disabled, 0V £ VOUT £ VDD

4. The VDD condition of M965(6)G0225MP(Q)0-C50/60 is 3.135V~3.6V.

CAPACITANCE (VCC = 3.3V, TA = 25°C, f = 1MHz)

Parameter

Symbol

Min

Max

Unit

Input capacitance (A0 ~ A10, BA)

CIN1

CIN2

CIN3

CIN4

CIN5

COUT

Input capacitance (RAS, CAS, WE, CKE, DSF)

Input capacitance (CLK0,CLK1)

Input capacitance (CS0,CS1)

Input capacitance (DQM0 ~ DQM7)

Data input/output capacitance (DQ0 ~ DQ63)

1 2 345 6 7...14

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