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M95512-DFCS6TP/K

更新时间： 2024-09-24 17:33:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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512 Kbit串行总线EEPROM

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M95512-DFCS6TP/K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	VFBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.74	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
JESD-30 代码：	R-PBGA-B8	长度：	1.937 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	0.58 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	1.271 mm	Base Number Matches：	1

M95512-DFCS6TP/K 数据手册

M95512-W

M95512-R

512Kbit Serial SPI Bus EEPROM

With High Speed Clock

FEATURES SUMMARY

■

Compatible with SPI Bus Serial Interface

(Positive Clock SPI Modes)

Figure 1. Packages

■

Single Supply Voltage:

–

2.5 to 5.5V for M95512-W

1.8 to 5.5V for M95512-R

■

High Speed

–

10MHz Clock Rate

5ms Write Time

■

Status Register

Hardware Protection of the Status Register

BYTE and PAGE WRITE (up to 128 Bytes)

Self-Timed Programming Cycle

Adjustable Size Read-Only EEPROM Area

Enhanced ESD Protection

SO8 (MN)

150 mil width

More than 100,000 Erase/Write Cycles

More than 40-Year Data Retention

TSSOP8 (DW)

169 mil width

Table 1. Product List

Reference

Part Number

M95512-W

M95512-R

M95512

June 2005

1/31

12 3 4 5 6 7...31

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