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M68AF031AL55NS6T

更新时间: 2024-02-27 09:50:12
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
22页 385K
描述
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

M68AF031AL55NS6T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 13.40 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000006 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

M68AF031AL55NS6T 数据手册

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M68AF031A  
Figure 7. Block Diagram  
A14  
ROW  
DECODER  
MEMORY  
ARRAY  
A7  
DQ7  
I/O CIRCUITS  
COLUMN  
DECODER  
DQ0  
A0  
A6  
E
W
G
AI05919  
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