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Datasheet > 存储 > SRAM> M68AF031AL55B1F

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M68AF031AL55B1F

更新时间： 2024-01-10 12:22:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	385K
描述
256 Kbit (32K x 8) 5.0V Asynchronous SRAM

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M68AF031AL55B1F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e3
长度：	37.085 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.000006 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

M68AF031AL55B1F 数据手册

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M68AF031A

Figure 19.TSOP28 - 28 lead Reverse Pinout Plastic Small Outline, Package Outline . . . . . . . . . . 19

Table 13. TSOP28 - 28 lead Reverse Pinout Plastic Small Outline, Package Mechanical Data. . . 19

PART NUMBERING . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Table 14. Ordering Information Scheme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

REVISION HISTORY. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Table 15. Document Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

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1 234 5 6 7...22

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