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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | SOP, TSSOP32,.8,20 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向引出线： | YES |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M5M5512RV-10VXL | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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| M5M5512RV-12VLL | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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| M5M5512RV-12VXL | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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| M5M5512RV-15VLL | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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| M5M5512RV-15VXL | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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| M5M5512RV-45LL | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, REVERSE, TSOP-32 |
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