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M5M5278DFP-25V

更新时间: 2024-01-17 06:34:38
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 330K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

M5M5278DFP-25V 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP28,.5
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0001 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.065 mA最大供电电压 (Vsup):3.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.97 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M5278DFP-25V 数据手册

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