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M5M5278DJ-25V

更新时间: 2024-01-11 21:33:13
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 330K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

M5M5278DJ-25V 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ28,.34
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.065 mA
最大供电电压 (Vsup):3.63 V最小供电电压 (Vsup):2.97 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M5278DJ-25V 数据手册

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