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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M5M5257DJ-12T | MITSUBISHI | Standard SRAM, 256KX1, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5257DJ-15LT | MITSUBISHI | Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5257DJ-20L | MITSUBISHI | Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5257DJ-20T | MITSUBISHI | Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5257DJ-25LT | MITSUBISHI | Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5257DJ-25T | MITSUBISHI | Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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