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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.87 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | POWER-DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M5M5258BJ-15T | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5258BJ-17T | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX4, 17ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5258BJ-20LT | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5258BJ-25 | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5258BJ-25L | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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| M5M5258BJ-25LT | MITSUBISHI | Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
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