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M5M5256DRV-85VLLT

更新时间: 2024-10-02 19:55:51
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 213K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, MIXMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-28

M5M5256DRV-85VLLT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.75
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:MIXMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

M5M5256DRV-85VLLT 数据手册

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