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M5M51016RT-12VLL

更新时间： 2022-11-26 03:31:53
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
7页 79K
描述
1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM

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M5M51016RT-12VLL 数据手册

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9
MITSUBISHIJuLl ,1S99Is7  
M5M51016BTP,RT-12VL,  
-12VLL  
1048576-BIT(65536-WORDBY16-BIT)CMOSSTATICRAM
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M51016BTP, RT are a 1048576-bit CMOS static RAM  
organized as 65536 word by 16-bit which are fabricated using  
high-performance triple polysilicon CMOS technology. The use of  
resistive load NMOS cells and CMOS periphery result in a high  
density and low power static RAM.  
1
44  
NC  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
NC  
BYTE  
2
3
4
43  
42  
41  
BC1  
BC2  
A14  
A15  
CONTROL  
INPUTS  
They are low stand-by current and low operation current and ideal  
for the battery back-up application.  
ADDRESS  
INPUTS  
The M5M51016BTP,RT are packaged in a 44-pin thin small  
outline package which is a high reliability and high density surface  
mount device (SMD). Two types of devices are available.  
M5M51016BTP(normal lead bend type package), M5M51016BRT  
(reverse lead bend type package). Using both types of devices, it  
becomes very easy to design a printed circuit board.  
5
6
7
40  
39  
38  
ADDRESS  
INPUTS  
A13  
W
WRITE  
CONTROL  
INPUTS  
8
9
37  
36  
35  
A8  
A9  
A11  
ADDRESS  
INPUTS  
10  
CHIP SELECT  
INPUT  
CS 11  
34  
33  
32  
FEATURES  
A10  
(0V)GND 12  
GND(0V)  
NC  
Power supply current  
Access time  
(max)  
OUTPUT ENABLE  
13  
OE  
NC  
Type name  
INPUT  
Active  
(max)  
stand-by  
(max)  
14  
15  
16  
31  
30  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ1  
DQ2  
60µA  
(VCC = 3.6V)  
M5M51016BTP,RT-12VL  
120ns  
29  
28  
27  
DATA  
INPUTS/  
DQ3 17  
DQ4 18  
19  
DQ13  
12µA  
(VCC = 3.6V)  
0.3µA  
12mA  
(1MHz)  
DATA  
DQ12 OUTPUTS  
INPUTS/  
OUTPUTS DQ5  
26  
25  
24  
M5M51016BTP,RT-12VLL  
120ns  
DQ11  
(VCC = 3.0V,  
typ)  
DQ6 20  
DQ10  
DQ7 21  
DQ9  
22  
DQ8  
23  
VCC(5V)  
Single +3.0V power supply  
Low stand-by current 0.3µA (typ.)  
Directly TTL compatible : All inputs and outputs  
Outline 44P3W - H (400mil TSOP Normal Bend)  
Easy memory expansion and power down by CS, BC1 & BC2  
Data hold on +2V power supply  
Three-state outputs : OR-tie capability  
OE prevents data contention in the I/O bus  
Common data I/O  
44  
1
NC  
NC  
A12  
A7  
BYTE  
CONTROL  
INPUTS  
BC1 43  
BC2 42  
2
3
4
Package  
M5M51016BTP,RT  
41  
A14  
A15  
A13  
W
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
CS  
..............................  
ADDRESS  
INPUTS  
44pin 400mil TSOP(II)  
40  
39  
38  
5
6
7
ADDRESS  
INPUTS  
WRITE  
CONTROL  
INPUTS  
APPLICATION  
Small capacity memory units  
A8  
37  
36  
35  
8
9
A9  
ADDRESS  
INPUTS  
10  
A11  
A10  
CHIP SELECT  
INPUT  
34  
33  
32  
11  
12  
13  
(0V)GND  
NC  
GND(0V)  
OUTPUT ENABLE  
OE  
INPUT  
DQ16 31  
DQ15 30  
14  
15  
16  
NC  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ14  
29  
DATA  
INPUTS/  
DQ13 28  
27  
17  
18  
19  
DATA  
INPUTS/  
OUTPUTS  
OUTPUTS DQ12  
DQ11 26  
DQ10 25  
20  
21  
22  
24  
DQ9  
DQ7  
DQ8  
23  
(5V)VCC  
Outline 44P3W - J (400mil TSOP Reverse Bend)  
NC : NO CONNECTION  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M5M51016RT-12VLL-I MITSUBISHI 1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM

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M5M51016RT-70L-I MITSUBISHI 1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM

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M5M51016RT-70LL-I MITSUBISHI 1048576-BIT(65536-WORD BY 16-BIT)CMOS STATIC RAM

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M5M51288BJ-15 MITSUBISHI Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32

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M5M51288BJ-20L MITSUBISHI Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32

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