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M5M44170AJ-10S

更新时间: 2024-09-25 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 2464K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO40

M5M44170AJ-10S 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ40,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J40JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:YES最大待机电流:0.0001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M44170AJ-10S 数据手册

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