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M5M411664TP-6ST

更新时间： 2024-11-25 15:42:23

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	866K
描述
Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42

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M5M411664TP-6ST 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	42
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G42	长度：	14.6 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	42
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M411664TP-6T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411664TP-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO42
M5M411664TP-7S	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO42
M5M411665AJ-5	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-5S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-5ST	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-5T	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-6S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-7	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665ATP1-5S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42