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M5M411664TP-7S

更新时间： 2024-11-25 19:45:39

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M5M411664TP-7S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP42,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G42
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	42	字数：	65536 words
字数代码：	64000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP42,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.0002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.115 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M411665AJ-5	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-5S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-5ST	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-5T	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-6S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665AJ-7	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411665ATP1-5S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411665ATP1-5ST	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411665ATP1-5T	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411665ATP1-6S	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42