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M58CR064C90ZB6

更新时间： 2025-08-03 20:32:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX /
页数 文件大小 规格书
70页 1000K
描述
Flash, 4MX16, 90ns, PBGA56, 6.50 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-56

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M58CR064C90ZB6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：6.50 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-56针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.46
最长访问时间：90 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：TOPJESD-30 代码：R-PBGA-B56
长度：10 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：56
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM类型：NOR TYPE
宽度：6.5 mmBase Number Matches：1

M58CR064C90ZB6 数据手册

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M58CR064C, M58CR064D  
M58CR064P, M58CR064Q  
64 Mbit (4Mb x 16, Dual Bank, Burst )  
1.8V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Package  
– V = 1.65V to 2V for Program, Erase and  
DD  
Read  
– V  
= 1.65V to 3.3V for I/O Buffers  
DDQ  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
■ SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst Read mode : 54MHz  
FBGA  
– Asynchronous/ Synchronous Page Read  
mode  
– Random Access: 85, 90, 100, 120ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Word typical  
TFBGA56 (ZB)  
6.5 x 10mm  
– Double/Quadruple Word Program option  
■ MEMORY BLOCKS  
– Dual Bank Memory Array: 16/48 Mbit  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ DUAL OPERATIONS  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Program Erase in one Bank while Read in  
other  
– Manufacturer Code: 20h  
– Top Device Code, M58CR064C: 88CAh  
– Bottom Device Code, M58CR064D: 88CBh  
– Top Device Code, M58CR064P: 8801h  
– Bottom Device Code, M58CR064Q: 8802h  
– No delay between Read and Write operations  
■ BLOCK LOCKING  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
■ SECURITY  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device number  
– One parameter block permanently lockable  
■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
June 2003  
1/70  
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与M58CR064C90ZB6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58CR064C90ZB6T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit 4Mb x 16, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58CR064C90ZB6T NUMONYX

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 		Flash, 4MX16, 90ns, PBGA56, 6.50 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-56
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