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M470T2953BY3-CCC

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
19页	328K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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M470T2953BY3-CCC 数据手册

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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs

DDR2 SDRAM

Functional Block Diagram: 1GB, 128Mx64 Module^{(Populated as 2 ranks of x8 DDR2 SDRAMs)}

M470T2953BS(Y)3/M470T2953BS(Y)0

3Ω + 5%

CKE1

ODT1

CKE0

ODT0

CS0

CS1

CS0

CS1

DQS0

DM0

DQS4

DM4

DQS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D12

DQS1

DM1

DQS5

DM5

DQS

CS0

DQS

CS1 O

DQS

CS0

DQS

CS1 O

DQ8

I/O 8

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

I/O 8

DQ9

I/O 9

D13

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

CS0

CS1

CS0

CS1

DQS2

DM2

DQS6

DM6

DQS

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

D10

D14

CS0

CS1

CS0

CS1

DQS3

DM3

DQS

DQS7

DM7

DQS

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

I/O 8

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

I/O 8

I/O 9

D11

D15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

* Clock Wiring

Clock Input DDR2 SDRAMs

10Ω + 5%

BA0 - BA1

A0 - A13

RAS

DDR2 SDRAMs D0 - D15

SCL

SA0

SA1

SCL

SPD

*CK0/CK0 8 DDR2 SDRAMs

*CK1/CK1 8 DDR2 SDRAMs

SDA

CAS

* Wire per Clock Loading

Table/Wiring Diagrams

SPD

Serial PD

Notes :

1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms ± 5%.

2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 10 Ohms ± 5%.

DDR2 SDRAMs D0 - D15

REF

DDR2 SDRAMs D0 - D15, V and V

DDR2 SDRAMs D0 - D15, SPD

Rev. 1.5 Aug. 2005

1...4 5 678 9 10...19

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M470T2953BY3-LCC	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	获取价格
M470T2953BY3-LD5	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200	获取价格
M470T2953BY3-LD5/CC	SAMSUNG	200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC	获取价格
M470T2953CZ0	SAMSUNG	DDR2 Unbuffered SODIMM	获取价格
M470T2953CZ0-CC	SAMSUNG	DDR2 Unbuffered SODIMM	获取价格
M470T2953CZ0-CCC	SAMSUNG	DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC	获取价格

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