是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIMM, DIMM240,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY |
最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N240 | 长度: | 133.35 mm |
内存密度: | 309237645312 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 72 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 240 |
字数: | 4294967296 words | 字数代码: | 4000000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4GX72 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM240,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 1.35 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 30.15 mm |
自我刷新: | YES | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 1.152 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.283 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.35 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 4 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M393B4G70AM0-YF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, 4GX72, 0.3ns, CMOS, PDMA240 | |
M393B4G70AM0-YH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, 4GX72, 0.255ns, CMOS, PDMA240 | |
M393B4G70BM0-CH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 4GX72, 0.255ns, CMOS, RDIMM-240 | |
M393B4G70BM0-YF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, 4GX72, 0.3ns, CMOS, PDMA240 | |
M393B4G70BM0-YH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM, 4GX72, 0.255ns, CMOS, PDMA240 | |
M393B5170DZ1-CF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX72, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | |
M393B5170DZ1-CH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 512MX72, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | |
M393B5170EH1 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory | |
M393B5170EH1-CH9 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory | |
M393B5170EH1-YF8 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR3 SDRAM Memory |