Datasheet > M366S3323ETU-L7C

M366S3323ETU-L7C

更新时间： 2024-02-08 01:50:48

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	74K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M366S3323ETU-L7C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.91	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.032 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M366S3323ETU-L7C 数据手册

PC133 Low Profile Unbuffered DIMM

M366S3323ETU

PIN CONFIGURATION DESCRIPTION

Name

System clock

Input Function

CLK

Active on the positive going edge to sample all inputs.

Disables or enables device operation by masking or enabling all inputs except

CLK, CKE and DQM.

Chip select

Masks system clock to freeze operation from the next clock cycle.

CKE should be enabled at least one cycle prior to new command.

Disable input buffers for power down in standby.

CKE

Clock enable

CKE should be enabled 1CLK+tSS prior to valid command.

Row/column addresses are multiplexed on the same pins.

Row address : RA0 ~ RA11, Column address : CA0 ~ CA9

A0 ~ A11

BA0 ~ BA1

RAS

Address

Selects bank to be activated during row address latch time.

Selects bank for read/write during column address latch time.

Bank select address

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

Latches row addresses on the positive going edge of the CLK with RAS low.

Enables row access & precharge.

Latches column addresses on the positive going edge of the CLK with CAS low.

Enables column access.

CAS

Enables write operation and row precharge.

Latches data in starting from CAS, WE active.

Makes data output Hi-Z, tSHZ after the clock and masks the output.

Blocks data input when DQM active. (Byte masking)

DQM0 ~ 7

Data input/output mask

DQ0 ~ 63

VDD/VSS

Data input/output

Data inputs/outputs are multiplexed on the same pins.

Power and ground for the input buffers and the core logic.

Power supply/ground

Rev. 1.0 Nov. 2002

123 4 5 6 7...9

下载PDF

与M366S3323ETU-L7C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M366S3323FT	SAMSUNG	SDRAM Unbuffered Module	获取价格
M366S3323FTS-C7A	SAMSUNG	SDRAM Unbuffered Module	获取价格
M366S3323FTU-C7A	SAMSUNG	SDRAM Unbuffered Module	获取价格
M366S3323ITS-C7A	SAMSUNG	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
M366S3323ITU-C7A	SAMSUNG	Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
M366S3323IUS	SAMSUNG	SDRAM Product Guide	获取价格

与M366S3323ETU-L7C相关文章

SI2301 N沟道MOSFET：资料手册参数分析
2024-05-08

6
ADC0809逐次逼近寄存器型模数转换器：资料手册参数分析
2024-05-08

5
AD9361捷变收发器：全面参数解析与关键特性概览
2024-05-08

3
IRF3205功率MOSFET：资料手册参数分析
2024-05-08

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M366S3323ETU-L7C

M366S3323ETU-L7C 技术参数

M366S3323ETU-L7C 数据手册

与M366S3323ETU-L7C相关器件

与M366S3323ETU-L7C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M366S3323ETU-L7C

M366S3323ETU-L7C 技术参数

M366S3323ETU-L7C 数据手册

与M366S3323ETU-L7C相关器件

与M366S3323ETU-L7C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？