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M366S3323ETU-L7C

更新时间： 2024-02-28 21:52:49

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	74K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

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技术参数
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M366S3323ETU-L7C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM168
针数：	168	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.91	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	2147483648 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.032 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M366S3323ETU-L7C 数据手册

PC133 Low Profile Unbuffered DIMM

M366S3323ETU

AC CHARACTERISTICS (AC operating conditions unless otherwise noted)

REFER TO THE INDIVIDUAL COMPONENET, NOT THE WHOLE MODULE.

- 7C

- 7A

Parameter

Symbol

Unit

Note

Min

7.5

Max

Min

7.5

Max

CAS latency=3

CLK cycle

time

tCC

1000

CAS latency=2

CAS latency=3

CAS latency=2

CAS latency=3

CAS latency=2

5.4

CLK to valid

output delay

tSAC

1,2

Output data

hold time

tOH

CLK high pulse width

CLK low pulse width

Input setup time

tCH

tC L

tSS

tSH

tSLZ

2.5

1.5

0.8

2.5

1.5

0.8

Input hold time

CLK to output in Low-Z

CAS latency=3

CAS latency=2

5.4

CLK to output

in Hi-Z

tSHZ

Notes :

1. Parameters depend on programmed CAS latency.

2. If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.

3. Assumed input rise and fall time (tr & tf) = 1ns.

If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,

i.e., [(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter.

Rev. 1.0 Nov. 2002

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