5秒后页面跳转
M366S1654CTS-L1L PDF预览

M366S1654CTS-L1L

更新时间: 2024-02-24 21:35:58
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
11页 163K
描述
16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

M366S1654CTS-L1L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM168
针数:168Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.32
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:168字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM168封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.76 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

M366S1654CTS-L1L 数据手册

 浏览型号M366S1654CTS-L1L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M366S1654CTS-L1L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M366S1654CTS-L1L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M366S1654CTS-L1L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M366S1654CTS-L1L的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M366S1654CTS-L1L的Datasheet PDF文件第10页 
PC133/PC100 Unbuffered DIMM  
M366S1654CTS  
AC CHARACTERISTICS (AC operating conditions unless otherwise noted)  
REFER TO THE INDIVIDUAL COMPONENET, NOT THE WHOLE MODULE.  
- 7C  
- 7A  
- 1H  
- 1L  
Parameter  
Symbol  
Unit Note  
Min  
7.5  
7.5  
Max  
Min  
7.5  
10  
Max  
Min  
10  
Max  
Min  
10  
Max  
CAS latency=3  
CLK cycle  
time  
tCC  
1000  
1000  
1000  
1000  
ns  
ns  
ns  
1
1,2  
2
CAS latency=2  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
10  
12  
5.4  
5.4  
5.4  
6
6
6
6
7
CLK to valid  
output delay  
tSAC  
3
3
3
3
3
3
2
1
1
3
3
3
3
2
1
1
Output data  
hold time  
tOH  
3
3
CLK high pulse width  
CLK low pulse width  
Input setup time  
tCH  
tCL  
2.5  
2.5  
1.5  
0.8  
1
2.5  
2.5  
1.5  
0.8  
1
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3
3
3
3
2
tSS  
Input hold time  
tSH  
tSLZ  
CLK to output in Low-Z  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
5.4  
5.4  
5.4  
6
6
6
6
7
CLK to output  
in Hi-Z  
tSHZ  
ns  
Notes :  
1. Parameters depend on programmed CAS latency.  
2. If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.  
3. Assumed input rise and fall time (tr & tf) = 1ns.  
If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,  
i.e., [(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter.  
Rev. 0.1 Sept. 2001  

与M366S1654CTS-L1L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M366S1654CTS-L7A SAMSUNG 16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

获取价格

M366S1654CTS-L7C SAMSUNG 16Mx64 SDRAM DIMM based on 16Mx16, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

获取价格

M366S1654DTS-C1H SAMSUNG Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

获取价格

M366S1654DTS-L1L SAMSUNG Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168

获取价格

M366S1654ETS-C7A SAMSUNG SDRAM Unbuffered Module

获取价格

M366S1654HUS SAMSUNG SDRAM Product Guide

获取价格