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M364C0803BJ0-C60

更新时间： 2024-01-22 00:49:44

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	419K
描述
Fast Page DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

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M364C0803BJ0-C60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大待机电流：	0.03 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.88 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M364C080(8)3BJ(T)0-C

Buffered 8Mx64 DIMM

(8Mx8 base)

Revision 0.1

June 1998

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M364C0803BT0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
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M364C0883BT0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364C0883CT0-C60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
M364C0884CT0-C50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168