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M34C02-RMN1T

更新时间： 2024-09-29 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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20页 161K
描述
256X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8

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M34C02-RMN1T 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.150 INCH, PLASTIC, SO-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.87
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.1 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010DDDRJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.9 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256X8输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：5e-7 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

M34C02-RMN1T 数据手册

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M34C02  
2 Kbit Serial I²C Bus EEPROM  
For DIMM Serial Presence Detect  
2
■ Two Wire I C Serial Interface  
■ 100 kHz and 400 kHz Transfer Rates  
■ Single Supply Voltage:  
– 2.5V to 5.5V up to 400 kHz for M34C02-W  
– 2.2V to 5.5V up to 400 kHz for M34C02-L  
– 1.8V to 5.5V up to 100 kHz for M34C02-R  
■ Software Data Protection for lower 128 bytes  
■ BYTE and PAGE WRITE (up to 16 bytes)  
■ RANDOM and SEQUENTIAL READ Modes  
■ Self-Timed Programming Cycle  
8
8
1
1
PSDIP8 (BN)  
0.25 mm frame  
SO8 (MN)  
150 mil width  
■ Automatic Address Incrementing  
■ Enhanced ESD/Latch-Up Protection  
■ More than 1 Million Erase/Write Cycles  
■ More than 40 Year Data Retention  
TSSOP8 (DW)  
169 mil width  
TSSOP8 (DS)  
3x3mm² body size  
DESCRIPTION  
(MSOP)  
The M34C02 is a 2 Kbit serial EEPROM memory  
able to lock permanently the data in its first half  
(from location 00h to 7Fh). This facility has been  
designed specifically for use in DRAM DIMMs  
(dual interline memory modules) with Serial  
Presence Detect. All the information concerning  
the DRAM module configuration (such as its  
access speed, its size, its organization) can be  
kept write protected in the first half of the memory.  
Figure 1. Logic Diagram  
V
This bottom half of the memory area can be write-  
protected using a specially designed software  
CC  
3
Table 1. Signal Names  
E0-E2  
SDA  
E0, E1, E2  
SDA  
Chip Enable Inputs  
M34C02  
SCL  
WC  
Serial Data/Address Input/  
Output  
SCL  
WC  
Serial Clock  
Write Control  
Supply Voltage  
Ground  
V
SS  
V
AI01931  
CC  
V
SS  
July 2002  
1/20  
1234567...20

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