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M29F800DB55M1T

更新时间： 2024-01-29 02:51:38
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
39页 584K
描述
Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44

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M29F800DB55M1T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.525 INCH, PLASTIC, SO-44针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.16
最长访问时间：55 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PDSO-G44长度：28.2 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.8 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：13.3 mm
Base Number Matches：1

M29F800DB55M1T 数据手册

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M29F800DT  
M29F800DB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
5V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 5V ±10% for Program, Erase and Read  
CC  
■ ACCESS TIME: 55, 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
■ 19 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 16 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithms  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
SO44 (M)  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29F800DT: 22ECh  
– Bottom Device Code M29F800DB: 2258h  
July 2003  
1/39  
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与M29F800DB55M1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F800DB55M3 NUMONYX

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 		512KX16 FLASH 5V PROM, 55ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F800DB55M3T NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F800DB55M6E STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB55M6F STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB55M6T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory
M29F800DB55M6T NUMONYX

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 		Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, 0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
M29F800DB55N1 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M29F800DB55N1E STMICROELECTRONICS

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